MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 7,5 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 786-3637PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF10N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

7.5 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Séries

MDmesh M2

Type de boîtier

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

600 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

13,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

16.4mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 11,50

Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 7,5 A 650 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 5
10€ 11,50
15€ 17,26
20€ 23,01
25€ 28,76
30€ 34,51
35€ 40,27
40€ 46,02
45€ 51,77
50€ 57,52
55€ 63,28
60€ 69,03
65€ 74,78
70€ 80,53
75€ 86,29
80€ 92,04

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

600 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

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2V

Dissipation de puissance maximum

25 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

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Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

13,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

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Taille

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