MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

550mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25, +25V

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

4.6mm

Hauteur

16.4mm

Standard automobile

No