MOSFET de puissance FDmesh II canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP FDmesh

Brand

Type de produit

MOSFET de puissance FDmesh II

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220FP

Série

FDmesh

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enhancement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température d'utilisation maximum

85°C

Hauteur

16.4mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No, ECOLAB

Largeur

4.6mm

Standard automobile

No