Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
360mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25, -25V
Température d'utilisation maximum
150°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
10.4mm
Hauteur
16.4mm
Largeur
4.6mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Détails du produit
Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de la société pour obtenir une résistance à l'état passant et une charge de grille parmi les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Série
MDmesh
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Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25, -25V
Température d'utilisation maximum
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Configuration du transistor
Single
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10.4mm
Hauteur
16.4mm
Largeur
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