Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
360mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
30nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de la société pour obtenir une résistance à l'état passant et une charge de grille parmi les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,46
€ 4,46 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,46
€ 4,46 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,46 |
| 10 - 99 | € 2,36 |
| 100 - 499 | € 2,12 |
| 500+ | € 1,81 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
360mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
30nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de la société pour obtenir une résistance à l'état passant et une charge de grille parmi les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.