MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220FP

Série

MDmesh

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

UPC

Hauteur

16.4mm

Largeur

4.6mm

Standard automobile

No