MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
360mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
30nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 4,39
€ 4,39 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,39
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,39 |
| 10 - 99 | € 3,71 |
| 100 - 499 | € 2,95 |
| 500 - 999 | € 2,65 |
| 1000+ | € 2,23 |
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Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Tension directe Vf
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Hauteur
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Longueur
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