Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
360mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation maximum
125°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
10.4mm
Hauteur
16.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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50
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
360mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation maximum
125°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
10.4mm
Hauteur
16.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
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