MOSFET de puissance canal Type N STMicroelectronics 11 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh M5 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220FP
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.34Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
85W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,43
€ 1,086 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,086 | € 5,43 |
| 10+ | € 1,057 | € 5,28 |
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Séries
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Nombre de broches
3
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0.34Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
85W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
22nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
16.4mm
Longueur
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No
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No
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China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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