Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
16mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance K5 MDmesh 15 A à canal N de STMicroelectronics 900 V, 280 mO typ. Dans un boîtier TO-220FP est basé sur une structure verticale propriétaire innovante.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 180,86
€ 3,617 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 180,86
€ 3,617 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,617 | € 180,86 |
| 250+ | € 3,572 | € 178,58 |
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N
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900V
Type de Boitier
TO-220
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
16mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
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No
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