MOSFET N STMicroelectronics 15 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SiC MOSFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Séries
SiC MOSFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Taille
16mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 199,34
€ 3,987 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 199,34
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,987 | € 199,34 |
| 100 - 200 | € 3,879 | € 193,93 |
| 250 - 450 | € 3,775 | € 188,75 |
| 500 - 950 | € 3,679 | € 183,97 |
| 1000+ | € 3,587 | € 179,37 |
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Type N
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Type de Boitier
TO-220
Séries
SiC MOSFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Température d'utilisation maximum
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