MOSFET N STMicroelectronics 15 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SiC MOSFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
16mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 179,70
€ 3,594 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,594 | € 179,70 |
| 100 - 200 | € 3,55 | € 177,50 |
| 250 - 450 | € 3,506 | € 175,31 |
| 500 - 950 | € 3,465 | € 173,24 |
| 1000+ | € 3,423 | € 171,16 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
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900V
Type de Boitier
TO-220
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Température d'utilisation maximum
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