Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
16mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 179,41
€ 3,588 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 179,41
€ 3,588 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,588 | € 179,41 |
| 250+ | € 3,543 | € 177,15 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Série
SiC MOSFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
330mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
16mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No