MOSFET de puissance STMicroelectronics canal Type N, TO-220FP 13 A Enrichissement 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 786-3647Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STF18N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

Power MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220FP

Séries

MDmesh M2

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.28Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Tension maximale de source de la grille Vgs

±25 V

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21.5nC

Température maximale d'utilisation

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

16.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Séries

MDmesh M2

Type de montage

Through Hole

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3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.28Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Tension maximale de source de la grille Vgs

±25 V

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21.5nC

Température maximale d'utilisation

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Largeur

4.6 mm

Hauteur

16.4mm

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No

Longueur

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No

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