Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
STF
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
240mΩ
Mode de canal
Épuisement
Dissipation de puissance maximum Pd
29W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20.6nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
16mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier TO-220FP a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 106,42
€ 106,42 1 Tube of 50 (hors TVA)
1
€ 106,42
€ 106,42 1 Tube of 50 (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 106,42 |
| 5 - 9 | € 99,19 |
| 10+ | € 92,91 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
STF
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
240mΩ
Mode de canal
Épuisement
Dissipation de puissance maximum Pd
29W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20.6nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
16mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier TO-220FP a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.