Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 54,38
€ 4,783 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 54,38
€ 4,783 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 4,783 | € 9,57 |
| 100 - 198 | € 4,275 | € 8,55 |
| 200+ | € 3,672 | € 7,34 |
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Brand
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Type de canal
N
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600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
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Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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