Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh DM2
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
54 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,91
€ 2,955 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 5,91
€ 2,955 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,955 | € 5,91 |
| 10 - 98 | € 2,881 | € 5,76 |
| 100 - 498 | € 2,801 | € 5,60 |
| 500+ | € 2,739 | € 5,48 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh DM2
Type de boîtier
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
54 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101


