MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 28 A Enrichissement 600 V, 3 broches STF35N60DM2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,96
€ 2,979 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,979 | € 5,96 |
| 10 - 98 | € 2,905 | € 5,81 |
| 100 - 498 | € 2,824 | € 5,65 |
| 500+ | € 2,761 | € 5,52 |
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Type N
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TO-220
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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