Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh DM2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 54,24
€ 4,771 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 54,24
€ 4,771 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 4,771 | € 9,54 |
| 100 - 198 | € 4,263 | € 8,53 |
| 200+ | € 3,662 | € 7,32 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh DM2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
16.4mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
