Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
28A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh DM2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
110mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
16.4mm
Normes/homologations
UPC
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 142,88
€ 2,858 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 142,88
€ 2,858 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,858 | € 142,88 |
| 250+ | € 2,724 | € 136,18 |
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Type N
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28A
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600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh DM2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
40W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Hauteur
16.4mm
Normes/homologations
UPC
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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