MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh K5, SuperMESH5

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

20W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

16.4mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

4.6mm

Standard automobile

No