Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
58A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-3PF
Série
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
79W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
143nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
26.7mm
Largeur
5.7mm
Longueur
15.7mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Standard automobile
No
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 63,91
€ 8,84 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 63,91
€ 8,84 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 8,84 |
| 100 - 599 | € 8,72 |
| 600+ | € 8,62 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
58A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-3PF
Série
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
79W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
143nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
26.7mm
Largeur
5.7mm
Longueur
15.7mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Standard automobile
No
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
