MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 1.7 kV Enrichissement, 8 broches, SO-8 STGAP2

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

1.7kV

Série

STGAP2

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1GΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

5mm

Hauteur

1.75mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

4mm

Standard automobile

No

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China