MOSFET N STMicroelectronics 4 A 1700 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 STGAP2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
1700V
Type de Boitier
SO-8
Série
STGAP2
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
1GΩ
Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
5mm
Höhe
1.75mm
Normes/homologations
RoHS
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 465,30
€ 1,733 Each (In a Tube of 2000) (hors TVA)
2000
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SO-8
Série
STGAP2
Typ montáže
Surface
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8
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Mode de canal
Enhancement
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
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