MOSFET N STMicroelectronics 4 A 1700 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 STGAP2

N° de stock RS: 152-180Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STGAP2SICSNC
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

1700V

Type de Boitier

SO-8

Série

STGAP2

Typ montáže

Surface

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1GΩ

Mode de canal

Enhancement

Température minimum de fonctionnement

80°C

Maximální provozní teplota

60°C

Longueur

5mm

Höhe

1.75mm

Normes/homologations

RoHS

Automobilový standard

No

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

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€ 8,49

€ 1,698 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,698€ 8,49
50 - 95€ 1,613€ 8,06
100 - 495€ 1,492€ 7,46
500 - 995€ 1,375€ 6,87
1000+€ 1,324€ 6,62

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SO-8

Série

STGAP2

Typ montáže

Surface

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1GΩ

Mode de canal

Enhancement

Température minimum de fonctionnement

80°C

Maximální provozní teplota

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