MOSFET N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK DeepGate, STripFET

Brand

Type de canal

Type N

Type du produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

H2PAK

Série

DeepGate, STripFET

Type de support

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

117nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.8mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

UPC

Standard automobile

No