Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,26
€ 3,326 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 33,26
€ 3,326 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 3,326 | € 6,65 |
| 20 - 48 | € 2,998 | € 6,00 |
| 50 - 98 | € 2,698 | € 5,40 |
| 100+ | € 2,571 | € 5,14 |
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Brand
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
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100V
Type de Boitier
H2PAK
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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No
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