Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
STH200
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le MOSFET à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure améliorée de grille en tranchée qui augmente la capacité de résistance en mode linéaire et fournit une plus grande SOA combinée à une très faible résistance à l'état passant. Le transistor MOSFET résultant garantit le meilleur compromis entre le mode linéaire et les opérations de commutation.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Série
STH200
Type de support
En surface
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
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Le MOSFET à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure améliorée de grille en tranchée qui augmente la capacité de résistance en mode linéaire et fournit une plus grande SOA combinée à une très faible résistance à l'état passant. Le transistor MOSFET résultant garantit le meilleur compromis entre le mode linéaire et les opérations de commutation.
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