Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
STH200
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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H2PAK-2
Série
STH200
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
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4mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Température d'utilisation minimum
-55°C
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