Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
STH200
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Le MOSFET à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure améliorée de grille en tranchée qui augmente la capacité de résistance en mode linéaire et fournit une plus grande SOA combinée à une très faible résistance à l'état passant. Le transistor MOSFET résultant garantit le meilleur compromis entre le mode linéaire et les opérations de commutation.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 37,28
€ 3,73 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 37,28
€ 3,73 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 3,73 |
| 100 - 499 | € 3,68 |
| 500 - 999 | € 3,63 |
| 1000+ | € 3,59 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK-2
Série
STH200
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
93nC
Dissipation de puissance maximum Pd
340W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Le MOSFET à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure améliorée de grille en tranchée qui augmente la capacité de résistance en mode linéaire et fournit une plus grande SOA combinée à une très faible résistance à l'état passant. Le transistor MOSFET résultant garantit le meilleur compromis entre le mode linéaire et les opérations de commutation.