Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
80V
Type de Boitier
H2PAK
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
-20, +20V
Tension directe Vf
1.2V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
193nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.8mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
15.8mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,66
€ 3,883 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
4
€ 17,66
€ 3,883 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
4
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,883 | € 7,76 |
| 100 - 198 | € 3,468 | € 6,94 |
| 200+ | € 2,982 | € 5,96 |
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MOSFET
Type de canal
N
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Type de Boitier
H2PAK
Série
STripFET H7
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En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
-20, +20V
Tension directe Vf
1.2V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
193nC
Température d'utilisation maximum
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Largeur
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