Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
80V
Type de Boitier
H2PAK
Série
STripFET H7
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
193nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,81
€ 4,403 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 8,81
€ 4,403 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,403 | € 8,81 |
| 20 - 98 | € 3,872 | € 7,74 |
| 100 - 198 | € 3,458 | € 6,92 |
| 200+ | € 2,974 | € 5,95 |
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Type de canal
Type N
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H2PAK
Série
STripFET H7
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
193nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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