Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
80V
Type de Boitier
H2PAK
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
193nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,65
€ 3,88 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
4
€ 17,65
€ 3,88 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
4
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,88 | € 7,76 |
| 100 - 198 | € 3,465 | € 6,93 |
| 200+ | € 2,98 | € 5,96 |
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
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180A
Tension Drain Source maximum Vds
80V
Type de Boitier
H2PAK
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
193nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.8mm
Longueur
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