MOSFET N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK STripFET H7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
STripFET H7
Type de support
Surface
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum Rds
2.3mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Taille
4.8mm
Longueur
15.25mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,15
€ 4,575 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Séries
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Surface
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7
Résistance Drain Source maximum Rds
2.3mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Taille
4.8mm
Longueur
15.25mm
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No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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