Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.5A
Tension Drain Source maximum Vds
1500V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
MDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
9Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.3nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.8mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 41,47
€ 4,008 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 41,47
€ 4,008 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 4,008 | € 8,02 |
| 100 - 198 | € 3,886 | € 7,77 |
| 200+ | € 3,37 | € 6,74 |
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
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1500V
Type de Boitier
H2PAK
Séries
MDmesh
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
9Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
29.3nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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No
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