Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
22A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
I2PAK
Série
STI28
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
150mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Dissipation de puissance maximum Pd
170W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
9.3mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Grâce à leur disposition en barrette et une structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des propriétés de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 101,48
€ 2,03 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 101,48
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,03 | € 101,48 |
| 250 - 450 | € 1,979 | € 98,97 |
| 500+ | € 1,925 | € 96,23 |
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Type de canal
Type N
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I2PAK
Série
STI28
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
150mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Dissipation de puissance maximum Pd
170W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
9.3mm
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Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Grâce à leur disposition en barrette et une structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des propriétés de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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