Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
95A
Tension Drain Source maximum Vds
80V
Type de Boitier
PowerFLAT
Type de montage
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6.5Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
127W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 476,92
€ 1,159 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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€ 1,159 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
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3000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 1,159 | € 3 476,92 |
| 6000+ | € 1,145 | € 3 434,82 |
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Type de canal
N
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Type de Boitier
PowerFLAT
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En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6.5Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
127W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Standard automobile
AEC-Q101
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Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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