MOSFET N STMicroelectronics 5.5 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

5.5A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

PowerFLAT

Type de montage

En surface

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum Rds

660mΩ

Mode de canal

Enhancement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

48W

Température d'utilisation minimum

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6mm

Hauteur

0.95mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Pays d'origine

China