Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,15
€ 2,029 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
5
€ 10,15
€ 2,029 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,029 | € 10,14 |
| 50 - 245 | € 1,786 | € 8,93 |
| 250 - 495 | € 1,594 | € 7,97 |
| 500+ | € 1,37 | € 6,85 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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No
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