Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,07
€ 2,014 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 10,07
€ 2,014 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,014 | € 10,07 |
| 50 - 245 | € 1,773 | € 8,86 |
| 250 - 495 | € 1,582 | € 7,91 |
| 500+ | € 1,36 | € 6,80 |
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Brand
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
6mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
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No
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