Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Fréquence d'utilisation
1MHz
Courant continu de Drain maximum Id
167A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Puissance de sortie
111W
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STL
Type de montage
En surface
Nombre de broches
8
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Configuration du transistor
N-Channel
Longueur
5.1mm
Hauteur
1mm
Normes/homologations
JEDEC (JESD51-5,-7)
Largeur
5.9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le MOSFET de puissance à canal N de 40 V à mode d'amélioration de STMicroelectronics est conçu en technologie STripFET F8 avec une structure de grille à tranchée améliorée. Il garantit un facteur de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour permettre une commutation plus rapide et plus efficace.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3 069,78
€ 1,023 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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En surface
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Mode de canal
Enrichissement
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-55°C
Température d'utilisation maximum
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Configuration du transistor
N-Channel
Longueur
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Hauteur
1mm
Normes/homologations
JEDEC (JESD51-5,-7)
Largeur
5.9mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le MOSFET de puissance à canal N de 40 V à mode d'amélioration de STMicroelectronics est conçu en technologie STripFET F8 avec une structure de grille à tranchée améliorée. Il garantit un facteur de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour permettre une commutation plus rapide et plus efficace.
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