Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
15A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
PowerFLAT
Type de montage
En surface
Nombre de broches
5
Résistance Drain Source maximum Rds
215mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
24nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
0.9mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
8.1mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec un comportement de commutation efficace pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5 882,16
€ 1,961 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
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1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
0.9mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
8.1mm
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No
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China
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Ce transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec un comportement de commutation efficace pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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