MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

PowerFLAT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.35mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

5.4mm

Hauteur

0.95mm

Standard automobile

No