Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
35mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.35mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,60
€ 0,61 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 15,60
€ 0,61 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 0,61 | € 3,05 |
| 125 - 495 | € 0,594 | € 2,97 |
| 500+ | € 0,557 | € 2,78 |
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STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
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100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
35mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
75W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
14nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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Longueur
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No
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