Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
25mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
50W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4.5nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Configuration du transistor
Single
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.1mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STripFET TM H5 de STMicroelectronics. Le dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant, ce qui contribue à un FoM parmi les meilleurs de sa catégorie.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,29
€ 1,029 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 10,29
€ 1,029 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,029 | € 10,29 |
| 100 - 490 | € 0,686 | € 6,86 |
| 500 - 990 | € 0,562 | € 5,62 |
| 1000 - 2990 | € 0,555 | € 5,55 |
| 3000+ | € 0,548 | € 5,48 |
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Type de canal
N
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PowerFLAT
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
25mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
50W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4.5nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
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Température d'utilisation maximum
175°C
Configuration du transistor
Single
Hauteur
0.95mm
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.1mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STripFET TM H5 de STMicroelectronics. Le dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant, ce qui contribue à un FoM parmi les meilleurs de sa catégorie.
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