Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Série
STripFET
Type de Boitier
PowerFLAT
Type de montage
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
25mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
50W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4.5nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.1mm
Hauteur
0.95mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STripFET TM H5 de STMicroelectronics. Le dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant, ce qui contribue à un FoM parmi les meilleurs de sa catégorie.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,31
€ 1,031 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 10,31
€ 1,031 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,031 | € 10,32 |
| 100 - 490 | € 0,688 | € 6,88 |
| 500 - 990 | € 0,564 | € 5,64 |
| 1000 - 2990 | € 0,557 | € 5,57 |
| 3000+ | € 0,55 | € 5,50 |
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MOSFET
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N
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Série
STripFET
Type de Boitier
PowerFLAT
Type de montage
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
25mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
22V
Tension directe Vf
1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4.5nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
6.2mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.1mm
Hauteur
0.95mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STripFET TM H5 de STMicroelectronics. Le dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant, ce qui contribue à un FoM parmi les meilleurs de sa catégorie.
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