Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
31A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
Mdmesh M6
Type de montage
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
82mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.2nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
8.1mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
950μm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance M6 32 A STMicroelectronics à canal N 600 V, 70 mO typ., dans un boîtier PowerFLAT 8 x 8 HV offre d'excellentes performances de commutation grâce à la broche de source de commande supplémentaire.
Idée. Créer. Collaborer
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11 739,44
€ 3,913 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mdmesh M6
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En surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
8.1mm
Longueur
8.1mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
950μm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance M6 32 A STMicroelectronics à canal N 600 V, 70 mO typ., dans un boîtier PowerFLAT 8 x 8 HV offre d'excellentes performances de commutation grâce à la broche de source de commande supplémentaire.
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