Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
16.5mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 41,20
€ 1,342 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 41,20
€ 1,342 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,342 | € 6,71 |
| 250 - 495 | € 1,022 | € 5,11 |
| 500+ | € 0,907 | € 4,54 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
16.5mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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Longueur
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