Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
16.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.35 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,85
€ 0,714 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 17,85
€ 0,714 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 0,714 | € 3,57 |
| 50 - 120 | € 0,664 | € 3,32 |
| 125 - 245 | € 0,648 | € 3,24 |
| 250+ | € 0,632 | € 3,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
PowerFLAT
Séries
STripFET H7
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
16.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum d'utilisation
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
6.35 mm
Hauteur
0.95mm
Longueur
5.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


