Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOT-223
Série
STN3N
Type de support
En surface
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3.3W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.5mm
Hauteur
1.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics est le dernier développement de processus unique sur bande STMicroelectronics à taille unique. Le transistor qui en résulte affiche une très haute densité d'emballage pour une faible résistance à l'état passant, des caractéristiques d'avalanche robustes et des étapes d'alignement moins critiques, donc une remarquable reproductibilité de fabrication.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 816,48
€ 0,204 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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4000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | € 0,204 | € 816,48 |
| 8000 - 20000 | € 0,201 | € 802,48 |
| 24000+ | € 0,198 | € 793,15 |
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SOT-223
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Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3.3W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics est le dernier développement de processus unique sur bande STMicroelectronics à taille unique. Le transistor qui en résulte affiche une très haute densité d'emballage pour une faible résistance à l'état passant, des caractéristiques d'avalanche robustes et des étapes d'alignement moins critiques, donc une remarquable reproductibilité de fabrication.
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