MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 STripFET

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-223

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-16, +16V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.8mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

3.5mm

Standard automobile

No