MOSFET STMicroelectronics canal Type P, SOT-223 3 A Enrichissement 60 V, 4 broches STN3P6F6

N° de stock RS: 877-2949PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STN3P6F6
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-223

Séries

STripFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.6W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.4nC

Température de fonctionnement maximum

175°C

Longueur

6.7mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.7 mm

Hauteur

1.8mm

Standard automobile

No

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 17,99

Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal Type P, SOT-223 3 A Enrichissement 60 V, 4 broches STN3P6F6
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Paquet de production (Bobine)

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Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

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50

Disponible en multiples de 10
50€ 17,99
60€ 21,59
70€ 25,18
80€ 28,78
90€ 32,38
100€ 35,98
110€ 39,58
120€ 43,17
130€ 46,77
140€ 50,37
150€ 53,97
160€ 57,56
170€ 61,16
180€ 64,76
190€ 68,36

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Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.6W

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20 V

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Longueur

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No

Largeur

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Hauteur

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No

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