Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.5A
Tension Drain Source maximum Vds
25V
Type de Boitier
SOT-223
Série
STN6N60M2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.25Ω
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
6W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
6.8mm
Hauteur
1.8mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le dispositif STMicroelectronics est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie MDmesh M2. Grâce à sa disposition de barrette et à une structure verticale améliorée, le dispositif présente une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui le rend adapté aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 014,52
€ 0,254 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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Mode de canal
Enhancement
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Longueur
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Hauteur
1.8mm
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No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Le dispositif STMicroelectronics est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie MDmesh M2. Grâce à sa disposition de barrette et à une structure verticale améliorée, le dispositif présente une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui le rend adapté aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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