MOSFET STMicroelectronics, 4 broches, SOT-223

Le dispositif est fabriqué dans la technologie planaire PNP basse tension à l'aide d'une disposition "Base island". Le transistor résultant montre des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.

• Très faible tension de saturation collecteur-émetteur
• Courant de collecteur continu de 3 A.
• Gain de courant c.c., hFE> 100
• Boîtier en plastique SOT-223 pour les circuits de montage en surface dans l'emballage de ruban et de bobine
• Tension d'isolement de 40 V V V(BR)CER
• Applications
• Gestion de l'alimentation dans l'équipement portable
• Régulation de tension dans les circuits d'alimentation de polarisation
• Régulateur à découpage dans les applications de chargeur de batterie
• Driver de charge lourde