MOSFET canal Type N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET F7 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
100A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET F7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5.6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 44,02
€ 0,88 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 44,02
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Paquet de production (Tube)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,88 | € 8,80 |
| 100 - 240 | € 0,857 | € 8,57 |
| 250 - 490 | € 0,836 | € 8,36 |
| 500+ | € 0,815 | € 8,15 |
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Tension Drain Source maximum Vds
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Type de Boitier
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Séries
STripFET F7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5.6mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
12.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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